| 发明名称 | 用化学机械抛光的平整步骤制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的步骤包括，用常压CVD或低压CVD而不用等离子体形成第一绝缘层（17）覆盖住表面凸凹不平的半导体衬底；通过利用电子回旋共振的偏压等离子体CVD工艺形成第二绝缘膜（18）覆盖住第一绝缘层；采用化学机械抛光工艺平整第二绝缘膜。这样，可以缩短用化学机械抛光工艺平整半导体衬底表面所需的时间。$#! | ||
| 申请公布号 | CN1078743C | 申请公布日期 | 2002.01.30 |
| 申请号 | CN96119897.4 | 申请日期 | 1996.10.11 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 后藤启郎 |
| 分类号 | H01L21/3105 | 主分类号 | H01L21/3105 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 卢纪;刘文意 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括以下步骤：用常压CVD和低压CVD中的一种方法而不用等离子体，形成第一层绝缘层(17)覆盖住表面凸凹不平的半导体衬底；通过利用电子回旋共振的偏压等离子体CVD工艺，形成第二层绝缘膜(18)覆盖住所述的第一层绝缘层；以及用化学机械抛光工艺平整所述的第二层绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||