Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung reinsten Siliziums oder Germaniums oder anderer Halbleiterstoffe,申请号DE1953S036248-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung reinsten Siliziums oder Germaniums oder anderer Halbleiterstoffe
摘要
申请公布号	DE1030816(B)	申请公布日期	1958.05.29
申请号	DE1953S036248	申请日期	1953.11.10
申请人	SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	BISCHOFF DR.-ING. FRIEDRICH
分类号	C01B33/033;C22B5/16	主分类号	C01B33/033
代理机构		代理人
主权项
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