| 摘要 |
<p>본 발명은 강유전체의 분극에 의해 형성되는 속박 전하(bound charge)를 소스의 p-n 접합(junction)에 형성되게 하는 공핍 용량(Depletion capacitance)을 이용한 강유전체 메모리 및 그 제조 방법과 작동 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 공핍 용량을 이용한 강유전체 메모리는 강유전체의 분극에 의해 형성되는 속박 전하(bound charge)를 트랜지스터 드레인의 p-n 접합(junction)에 형성되게 함으로써, 그 구조가 간단하면서도 각 메모리 셀(cell)에 기록된 정보를 임의로 읽고 쓸 수있을 뿐만아니라 특히 비파괴적으로 메모리 셀의 정보를 읽을 수 있다.</p> |
