| 摘要 |
<P>Dans un circuit intégré (1) à mémoire non volatile électriquement programmable (MEM) avec circuiterie (3) de sélection et programmation associée, on prévoit un dispositif de contrôle (5) de la tension appliquée sur un noeud (N) d'entrée d'alimentation cette circuiterie (3) de sélection et programmation, pour appliquer soit une haute tension (HV), soit une tension d'alimentation logique (Vdd), en fonction d'un signal (IN) de commande de programmation.</P>
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