具有净化气体通道与帮浦系统之基材支撑元件设备及其涂层沉积方法

摘要

本发明揭示使用在真空CVD室中之承接件(susceptor)，其提供一净化气体输送及移除系统，该系统在提供接近整个基材表面以进行处理的同晚可防止在一基材的边缘及背侧上之处理气体的沉积。该承接件具有一基材承接表面，该表面具有一周缘。一净化气体，如氩气，藉由一净化气体系统而被送经过该表面的周缘，该系统具有一设在与该基材承接表面相邻处的入口。该净化气体是藉由一帮浦系统而被移除，该系统具有一设在与该基材承接表面相邻之出口。

主权项

1.一种具有净化气体通道与帮浦系统之基材支撑元件设备,其至少包含:一基材支撑件;一由该基材支撑件及一肩部所界定的凹袋,该基材支撑件具有一基材承接表面,其中该基材承接表面具有一周缘;一净化气体系统,其具有一设在该肩部内的入口该入口与该基材承接表面相邻;一帮浦系统,其具有一设在该凹袋的肩部内之出口,该帮浦系统出口系被朝外地设置并位在该净化气体入口之上。2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该净化气体入口包括一形成于该基材承接表面中的净化气体通道,该通道伸展于该基材承接表面的该周缘附近。3.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该净化气体入口是形成于该肩部与该凹袋的基材承接表面之间的交会处。4.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该帮浦出口包括一形成于该凹袋的肩部内的帮浦通道。5.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该肩部被安排成概略垂直于该基材承接表面。6.如申请专利范围第1项所述之设备,其更包含一基材对齐系统。7.如申请专利范围第6项所述之设备,其中该对齐系统包括多个设在该基材支撑件上之对齐突出物用以将承接于该凹袋中之基材支撑件上的基材对齐。8.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该净化气体系统能够以300sccm至1500sccm的流速将气体输送至该基材承接表面的周缘。9.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该帮浦系统具有300sccm至1500sccm的流率。10.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该净化气体系统包括一安装在该基材支撑件上之净化气体环,及一形成于该净化气体环与该基材支撑件之间的净化气体通道。11.如申请专利范围第10项所述之设备,其中该帮浦系统包括一安装在该基材支撑件上与该净化气体环相邻之帮浦环,及一形成于该净化气体环之间的帮浦通道。12.如申请专利范围第10项所述之设备,其中该净化气体环具有一面向离开该基材承接表面方向的环形肩部,及该基材支撑件具有一面朝向该基材承接表面的环形肩部,其被作成可紧密地将该肩部承接于该净化气体环上的大小。13.一种具有净化气体通道与帮浦系统之基材支撑元件设备,其至少包含:一外壳;一基材支撑件,其设置于该外壳中;一凹袋,其是由一具有一基材承接表面的基材支撑件与一肩部所界定,其中该基材承接表面具有一周缘;一净化气体系统,其具有一设在该肩部内的入口,该入口与该基材承接表面相邻;一帮浦系统,其具有一设在该基材支撑件与该外壳之间的出口,该帮浦系统出口系被朝外地设置并位在该基材承接表面的周缘等高处,或至少高于该基材承接表面的周缘。14.如申请专利范围第13项所述之设备,其中该净化气体入口包括一形成于该基材承接表面中之净化气体通道,该通道伸展于该基材承接表面的该周缘附近。15.如申请专利范围第13项所述之设备,其中该帮浦出口包括一形成于该基材支撑件与该外壳之间的帮浦通道。16.如申请专利范围第13项所述之设备,其中该帮浦系统出口之设置系用以径向朝外地将气体排离该基材承接表面。17.如申请专利范围第13项所述之设备,其中该净化气体系统是以相对于该基材承接表面45度角的角度将净化气体送至该基材承接表面的周缘。18.如申请专利范围第13项所述之设备,其更包含一基材对齐系统。19.如申请专利范围第18项所述之设备,其中该对齐系统包括多个设在该基材支撑件上之对齐突出物用以将承接于该凹袋中之基材支撑件上的基材对齐。20.一种将一涂层沉积于一基材上的方法,用以避免处理气体沈积在基材边缘周围,其至少包含以下的步骤:提供一具有一基材承接表面的基材支撑件;将一基材置于该基材承接表面上;沉积一处理气体至该基材上;让一净化气体流经一在该基材边缘周围的净化气体通道;经由一帮浦通道将该净化气体从该室移除,该帮浦通道具有一出口其被设置在与该基材的边缘相邻且在该净化气体通道之上的位置。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该基材承接表面是被置于一由该基材支撑件与一肩部所界定的凹袋的底部上。22.如申请专利范围第20项所述之方法,其更包含将该基材的边缘与该净化气体入口对齐的步骤,使得该基材的边缘被置于该净化气体入口的流路中。23.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该帮浦出口是被朝外地设置并在该基材之上。24.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该处理气体是钨。25.一种具有净化气体通道与帮浦系统之基材支撑元件设备,其至少包含:一基材处理室,其具有一处理气体供应;一基材支撑件,其设置于该室中;一由该基材支撑件及一肩部所界定的凹袋,该基材支撑件具有一基材承接表面,其中该基材承接表面具有一周缘;一净化气体系统,其具有一设在该肩部内的入口,该入口与该基材承接表面相邻;一帮浦系统,其具有一设在该基材支撑件与该室之间的出口,该帮浦系统出口系被朝外地设置并位在该基材承接表面的周缘等高处,或至少高于该基材承接表面的周缘。26.如申请专利范围第25项所述之设备,其中该处理气体供应为钨。27.如申请专利范围第25项所述之设备,其中该净化气体入口包括一形成于该基材承接表面中之净化气体通道,该通道伸展于该基材承接表面的该周缘附近。28.如申请专利范围第25项所述之设备,其中该帮浦系统,出口包括一形成于该基材支撑件与该外壳之间的帮浦通道。29.如申请专利范围第25项所述之设备,其中该帮浦系统出口之设备系用以径向朝外地将气体排离该基材承接表面。图式简单说明:第一图为本发明之承接件的一剖面图。第二图为具有一承接件设置于其内之处理室的部分剖面图。第三图为该承接件的一上立体图。第四图为该发明之承接件的一剖面图。