| 摘要 |
<p>Bei einer Schaltungsanordnung, insbesondere einem DRAM-Element, mit einer Schutzeinrichtung (4) zum Unterbinden des Ausbildens und/oder Ausgebens eines auf einem empfangenen zugeführten Eingangssignal (I) beruhenden Reflexionssignals (R) wird vorgeschlagen, eine aktive Signalanpaßeinrichtung (5) vorzusehen, durch welche durch Verbrauch des Eingangssignals die Ausbildung eines Reflexionssignals verhinderbar ist. <IMAGE></p> |
