| 摘要 |
<p>단결정 실리콘과 결정구조가 동일한 씨앗층을 유리기판 위에 형성하고 기존에 사용하던 a-Si:H 박막제조 장비를 그대로 적용하여 만든 대면적, 저온, 고이동도의 미세결정 실리콘 박막을 구비한 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 박막 트랜지스터의 제조공정에 있어서, 후열처리 공정없이 유리기판 위에 Si 격자상수와 결정구조가 동일한 CaF와 CeO씨앗층을 적용하여 미세결정 규소박막을 성장시킨다. 본 발명의 제 1 실시 예에서는, 단일의 유리 기판을 준비하여 세척한후, 세척된 유리기판 상에 CaF또는 CeO층을 PVD 또는 스퍼터링 방법을 이용하여 증착시킨다. 이때, CaF증착원료로는 직경 3∼5mm, 순도 99.95% 이상의 펠렛형 CaF를 이용한다. CeO층은 Ce 순수금속 타겟을 이용하여 반응성으로 성장시키거나, CeO타겟을 사용하여 성장시킬 수 있다. 씨앗층을 형성한 후에는 PECVD를 이용하여 씨앗층 위에 저온에서 미세결정 실리콘을 직접성장시켜서 μc-Si 활성층을 증착시킨다. 이때, 반응기체로서 사용되는 SiH는 He으로 80% 희석시킨후 H를 혼합하여 사용한다.</p> |
