发明名称 保护–组件装入由标准晶胞构成之积体电路中所用的方法
摘要 本发明系关于一种保护-组件装入由标准晶胞构成之积体电路中所用的方法,其特征为:(a)在标准晶胞中保留至少一个保护-组件所需之空间,(b)在标准晶胞接线之后须决定这些需要该保护-组件之标准晶胞,(c)在这样所决定之标准晶胞中设置该保护-组件。
申请公布号 TW456019 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW088116404 申请日期 1999.09.23
申请人 西门斯股份有限公司 发明人 佐格堤尔;马库斯胡布
分类号 H01L23/60 主分类号 H01L23/60
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种保护-组件装入由标准晶胞构成之积体电路中所用的方法,其特征为:(a)在标准晶胞中保留至少一个保护-组件所需之空间,(b)在标准晶胞接线之后须决定这些需要该保护-组件之标准晶胞,(c)在这样所决定之标准晶胞中设置该保护-组件。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该保护-组件所需之空间在积体电路之布局中是由空间支件(5)所标示。3.如申请专利范围第1项之方法,其中此种保护-组件须设置一种保护二极体。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中保护-组件用之各接点是设置在标准晶胞中。5.如申请专利范围第1至第3项中任一项之方法,其中这些标准晶胞是闸极-阵列。6.如申请专利范围第4项之方法,其中这些标准晶胞是闸极-阵列。图式简单说明:第一图MOS-场效应电晶体之布局(layout),其具有一种保护二极体用之与闸极电极相平行之标记。
地址 德国