| 主权项 |
1.一种制造一半导体装置(70)之方法,其步骤包括:提供一导电物质的薄片(20),具有第一(27)和第二(23)表面以及一厚度(21);于该薄片(20)的第一表面(27),选择性地使用一抗蚀刻物质(24,26);形成一模组锁(34),从该薄片(20)的第二表面(23)向上延伸;附着一半导体晶粒于该薄片(20)的第二表面(23);从该半导体晶粒(40)到该模组锁(34),形成一电气连接(42);提供一压封的树脂(50)于该薄片(20)的第二表面(23)上,以压封该模组锁(34)、半导体晶粒(40)、和电气连接(42);以及选择地从第一表面(27)蚀刻穿过该薄片(20)的厚度(21),其利用抗蚀刻物质(24,26)当作一蚀刻遮罩。2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成一模组锁(34)的步骤包括:在导电物质薄片(20)的第二表面(23)上,形成一印有图样的电镀遮罩(32);将铜电镀在部份的导电物质薄片(20)曝露处,并穿过印有图样的电镀遮罩(32)中之开口;以及去除该有图样的电镀遮罩(32)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中选择性的应用步骤包括:于第一表面(27)上使用一层可成像的光阻;在该可成像的光阻层印上图样,以形成一些开口,穿过该开口即曝露出部份的第一表面;以及经由该开口,将镍和钯的金属层,电镀在已曝露第一表现(27)上部份(24,26)。4.一种制造复数个半导体装置(70)之方法,其步骤包括:提供一第一导电物质的薄片(20),具有第一(23)和第二(27)面;选择性地将一第二导电物质,电镀在该薄片(20)的第一面(23),以形成复数个晶粒附着区域(22);选择性地将一第三抗蚀刻导电物质,电镀在该薄片的第二面(27),以规划复数个装置导线接触(26)和复数个装置晶粒接触(24),该装置晶粒接触(24)系对准晶粒附着区域(22)处;选择性地将一第四导电物质,电镀在该薄片(20)的第一面(23),以形成复数个对准复数个装置导线接触(26)处之模组锁(34);将一半导体晶粒(40)附着在该每一个晶粒附着区域(22)中;形成一电气互连(42),从该半导体晶粒(40)延伸至相关之一模组锁(34)中;将所有的该半导体晶粒和该电气互连,压封在一单元的模制树脂遮盖(50)内;利用该第三抗蚀刻导电物质(24,26)当作一蚀刻遮罩,选择性地从第二面(27)蚀刻穿过该薄片(20),以形成复数个隔绝的装置导线接触(62)和复数个隔绝的装置晶粒接触(60);以及锯穿该单元的模制树脂遮盖(50),将复数个半导体晶粒分开成为复数个个别的装置结构(70)。5.如申请专利范围第4项之方法,其中压封的步骤包括:将具有已附着之半导体晶粒(40)的该第一导电物质的薄片(20),放置在一模制腔内,该模制腔和半导体晶粒附着至薄片的型态无关;以及将该模制腔内填入一树脂物质,以形成该单元的模制树脂遮盖(50),位于该第一导电物质薄片的第一面(23)上方。6.如申请专利范围第4项之方法,其中的步骤还包括在选择性的蚀刻之后和锯开以前,电气测试每一个该半导体晶粒。7.一种制造复数个半导体装置的方法,其步骤包括:提供一可耗损物质的导电薄片(20);在该导电薄片(20)的一第一表面(23)上,规划出复数个晶粒附着区域(22)和复数个互连结合区域(34);将复数个半导体晶粒(40)附着在该晶粒附着区域(22),并于每一该半导体晶粒(40)和其相关之互连结合区域(34)之间,提供一互连(42);将该复数个半导体装置晶粒压封在一单元的树脂遮盖(50)内;选择性地蚀刻该导电薄片,以去除该导电薄片的第一部份,留下该导电薄片(20)中接合至晶粒附着区域(22)和该互连结合区域(34)的第二部份(60,62);以及锯开该单元的树脂遮盖,将该半导体装置晶粒分为单一装置。8.如申请专利范围第7项之方法,其中规划复数个互连结合区域的步骤包括:形成一电镀的遮罩层(32),在该导电薄片(20)的第一表面(23)上,有复数个开口穿过表面,该复数个开口曝露出该导电薄片的第一表面之区域;以及将铜电镀在该曝露区域,形成了复数个模组锁(34),延伸至该导电薄片的表面上方,每一个模组锁有一上方表面,是为形成一互连结合区域。9.如申请专利范围第7项之方法,其中选择性蚀刻的步骤包括:在导电薄片(20)的一第二表面(27)上,使用一印有图样的蚀刻遮罩(24,26),该图样蚀刻遮罩包括复数个遮罩,对准复数个晶粒附着区域(22)和复数个互连结合区域(34);以及于导电薄片的第二表面,蚀刻没有被复数个遮罩盖住的部份。10.一种制造复数个半导体装置的方法,其步骤包括:提供一包含铜的薄片(20),该薄片有第一(23)和第二表面;选择性地电镀该薄片的第一表面(23),以形成复数个晶粒附着区域(22);选择性地以一抗蚀刻导电物质,电镀该薄片的第二表面(27),以规划复数个晶粒接触区域(24)和复数个结合接触区域(26),而该结合接触区域(26)对准该晶粒附着区域(22);选择性地将铜电镀在该薄片的第一表面(23),以形成复数个模组锁(34),其中每一个模组锁(34)对准相对的复数个结合接触区域(26)中之一个,而且每一个模组锁有一结合表面;将半导体晶粒(40)附着至复数个晶粒附着区域(22)中的每一个;于每一个半导体晶粒(40)和相关的该结合表面(34)之间,提供一电气互连(42);形成一单元的树脂遮盖(50),压封所有的半导体晶粒(40);利用该抗蚀刻导电物质(24,26)当作一蚀刻遮罩,蚀刻该薄片的第二表面(27),将该薄片分成复数个电气隔绝的晶粒接触区域(60)和复数个结合接触区域(62);以及将该单元的树脂遮盖锯开,以分割半导体晶粒,成为复数个单一的半导体装置(70)。图式简单说明:第一图至第八图是根据本发明的一具体实施例,绘制显示一连串之制程方法步骤的纵向截面图;第九图至第十一图是从本发明的变化具体实施例绘制所得,显示各式装置结构的纵向截面图;以及第十二图至第十七图是根据本发明的一变化具体实施例,绘制显示一连串之制程方法步骤的纵向截面图。 |
