| 主权项 |
1.一种光学波导光纤光栅基底之制造方法,包括下列步骤:提供复数个氧化钨颗粒及复数个氧化锆颗粒;混合研磨该等氧化钨颗粒及该等氧化锆颗粒;将该等混合研磨后之颗粒压成平板型陶瓷生胚体;以及将该生胚体烧结成一烧结体,该生胚体是以一载板承载,并在该生胚体上方盖上一盖板,以减少氧化钨在烧结时挥发。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等氧化钨颗粒及该等氧化锆颗粒之莫耳比是为1.5:1至3:1之间。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等氧化钨颗粒及该等氧化锆颗粒之莫耳比是为2:1。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,混合研磨该等颗粒是藉由球磨法来施行。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该载板及该盖板是由白金片、金属片及陶瓷片中选用。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该烧结持续时间是由4至12小时之间。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该烧结持续时间是由7至9小时之间。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中烧结温度是由1150℃至1250℃之间。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中烧结温度是由1180℃至1200℃之间。10.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括将该烧结体迅速冷却至室温。11.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括将该烧结体以机械加工方式取得一具有一空隙之光学波导光纤光栅基底。12.一种光学装置之制造方法,包括下列步骤:提供一钨酸锆陶瓷基底;于该基底形成一空隙;将一光学波导光纤置放在该基底上;以一热胶或紫外线胶经由该空隙将该光学波导光纤固定在该基底上;以及该钨酸锆陶瓷基底之制造方法,包括下列步骤:提供复数个氧化钨颗粒及复数个氧化锆颗粒;混合研磨该等氧化钨颗粒及该等氧化锆颗粒;将该等混合研磨后之颗粒压成平板型陶瓷生胚体;以及将该生胚体烧结成一烧结体,该生胚体是以一载板承载,并在该生胚体上方盖上一盖板,以减少氧化钨在高温时挥发。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该等氧化钨颗粒及该等氧化锆颗之莫耳比是为1.5:1至3:1之间。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该等氧化钨颗粒及该等氧化锆颗粒之莫耳比是为2:1。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中,混合研磨该等颗粒是藉由球磨法来施行。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该载板及该盖板是由白金片、金属片及陶瓷片中选用。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该烧结持续时间是由7至9小时之间。18.如申请专利范围第12项所述之方法,其中烧结温度是由1180℃至1200℃之间。19.如申请专利范围第12项所述之方法,更包括将该烧结体迅速冷却至室温。图式简单说明:第一图系显示氧化钨与氧化锆的二元相图。第二图系显示一生胚体烧结时系以一载板承载,并在生胚体上方加盖一盖板之示意图。第三图A系显示加盖板所烧结之钨酸锆陶瓷烧结体之扫描式电子显微镜照片。第三图B系显示未加盖板所烧结之钨酸锆陶瓷烧结体之扫描式电子显微镜照片。第四图系显示不同烧结持续时间所制作的钨酸锆陶瓷之热膨胀系数。第五图系显示一光学装置之基底之示意图。第六图系显示一光学装置之示意图。第七图系显示一光学装置之示意图。第八图系显示未封装及封装后之波长对温度之曲线图。 |
