| 主权项 |
1.一种陶瓷电容器,其包括一种介电陶瓷层与至少 一对电极,该对电极之一系位于两侧,其中该介电 陶瓷层包括主要相与第二相,该介电陶瓷层厚度方 向之第二相尺寸不大于介电陶瓷层厚度的三分之 一。2.根据申请专利范围第1项之陶瓷电容器,其中 该介电陶瓷层包括一种不还原介电陶瓷,其系于中 性或还原气氛中烧结形成,而且其包括一种以式ABO 3所示之主要组份,其中A系至少一种选自Ba、Sr、Ca 与Mg者,而B系至少一种选自Ti、Zr与Hf者;至少一种 稀土氧化物;以及一种主要由SiO2或B2O3所组成之玻 璃组份。3.根据申请专利范围第2项之陶瓷电容器, 其中该第二相包括稀土氧化物。4.根据申请专利 范围第1至3项中任一项之陶瓷电容器,该陶瓷电容 器系一种单块陶瓷电容器,其包括数层介电陶瓷层 、位于该介电陶瓷层之内部电极,以及与该内部电 极电连接之外部电极。5.一种制造陶瓷电容器之 方法,其包括步骤: 混合于介电陶瓷之相中构成第二相之化合物; 退火,然后磨碎该混合物以制备第二相之原料; 混合该第二相原料与不完全或是充份包含在第二 相原料中之介电陶瓷的其他材料; 成形及烧结该混合物以形成一种介电陶瓷;以及 在介电陶瓷上形成电极。6.根据申请专利范围第5 项之制造陶瓷电容器之方法,其中该陶瓷电容器系 一种单块陶瓷电容器,其包括数层介电陶瓷层、位 于该介电陶瓷层间之内部电极,以及与该内部电极 电连接之外部电极。图式简单说明: 第一图系本发明一单块陶瓷电容器之剖面图; 第二图系第一图所示之单块陶瓷电容器的陶瓷层 放大透视图; 第三图系一电子探针微分析器(EPMA)图,其显示本发 明实施例中样本编号1之陶瓷的钇分布;及 第四图系一EPMA图,其显示对照实施例中样本编号9 之陶瓷的钇分布。 |
