| 发明名称 | 半导体位置探测器 | ||
| 摘要 | 一种半导体位置探测器,采用对其栅极电极(11)的电位进行控制的办法,通过进行基干导电层(2－1、2－2)的断开/连接控制,就可以使半导体位置探测器起着PSD的作用或2分割PD的作用。倘采用该半导体位置探测器,由于不需要PSD之外的另外的PD,故可以使装置本身小型化,此外,由于可以向受光面照射全信号光,故可以提高探测灵敏度。 | ||
| 申请公布号 | CN1308776A | 申请公布日期 | 2001.08.15 |
| 申请号 | CN99808149.3 | 申请日期 | 1999.06.28 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 竹下辰夫;榊原正之;野田浩二 |
| 分类号 | H01L31/16 | 主分类号 | H01L31/16 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种根据受光面上边的入射光位置使从半导体导电层的两个端部分别输出的电流值可变的半导体位置探测器，其特征是：在上述半导体导电层的途中设置可以断开上述两个端部间的电传导的门控装置。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||