| 发明名称 |
Process for use in forming a self aligned contact in a semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2338596(B) |
申请公布日期 |
2001.08.15 |
| 申请号 |
GB19990009492 |
申请日期 |
1999.04.23 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
CHANG-HYUN * CHO;KYU-HYUN * LEE;JAE-GOO * LEE;SANG-SUB * JEONG |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/60;H01L21/768;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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