| 主权项 |
1.一种金氧半电晶体之制造方法,包括:提供一基底,在该基底中形成一浅沟渠隔离结构;在该基底上形成一第一闸极氧化层和一第二闸极氧化层;在该基底中形成复数个井区,该些井区之间以该浅沟渠隔离结构做为隔离,该些井区包括对应于该第一闸极氧化层的一第一P井和一第一N井,对应于该第二闸极氧化层的一第二P井和一第二N井;在该第一闸极氧化层和该第二闸极氧化层上形成一罩幕图案层,该罩幕图案层具有一开口暴露出该些井区之一的通道区;进行一局部通道离子植入制程,用以于该开口下方的该些井之一形成二植入区,以分别用于调整临限电压和抗击穿之用;剥除该罩幕图案层;重覆上述形成该罩幕图案层、进行该局部通道离子植入制程和剥除该罩幕图案层的步骤,继续依序在其除之该些井区中的通道区分别形成用于调整临限电压和抗击穿之用的二植入区;以及在该基底上形成一闸极和在该基底中形成一源/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述金氧半电晶体之制造方法,其中该第一闸极氧化层和该第二闸极氧化层的厚度不同。3.如申请专利范围第1项所述金氧半电晶体之制造方法,其中该第一闸极氧化层系对应于核心区,该第二闸极氧化层系对应于输出/输入区。4.如申请专利范围第1项所述金氧半电晶体之制造方法,其中该罩幕图案层包括光阻层。5.一种金氧半电晶体之制造方法,适用于双重临限电压制程,包括:提供一基底,在该基底中形成一浅沟渠隔离结构;在该基底中形成复数个井区,该些井区之间以该浅沟渠隔离结构做电性隔离;在该基底上形成一罩幕图案层,以该罩幕图案层为离子植入罩幕,进行一局部通道离子植入制程,用以于该些井之一的局部区域形成二植入区;剥除该罩幕图案层;重覆上述形成该罩幕图案层、进行该局部通道离子植入制程和剥除该罩幕图案层的步骤,继续依序在其余之该些井区中的局部区域分别形成二植入区;以及在该基底上形成一闸极和在该基底中形成一源/汲极区。6.如申请专利范围第5项所述金氧半电晶体之制造方法,其中该些井区中的局部区域系指通道区。7.如申请专利范围第5项所述金氧半电晶体之制造方法,其中该些井区包括至少一P井和至少一N井。8.如申请专利范围第5项所述金氧半电晶体之制造方法,其中该罩幕图案层包括光阻层。9.一种金氧半电晶体之制造方法,包括:提供一基底,在该基底中形成一浅沟渠隔离结构;在该基底上形成一第一闸极氧化层和一第二闸极氧化层;在该基底中形成一第一井和一第二井,该第一井和该第二井分别对应于该第一闸极氧化层和该第二闸极氧化层,并于该第一井和该第二井中同时形成全面性的一第一植入区和一第二植入区,以分别做为调整临限电压和抗击穿之用,其中该第一井和该第二井的导电型相同;在该基底中形成一第三井和一第四井,该第三井和该第四井分别对应于该第一闸极氧化层和该第二闸极氧化层,并于该第三导电井和该第四导电井中同时形成全面性的一第三植入区和一第四植入区,以分别做为调整临限电压和抗击穿之用,其中该第三井和该第四井的导电型相同,但与该第一井和该第二井相反;进行一局部通道离子植入制程,用以在该第一井和该第三井中的通道区形成一第五植入区和一第六入区,以分别做为调整临限电压和抗击穿之用;以及在该基底上形成一闸极和在该基底中形成一源/汲极区。10.如申请专利范围第9项所述金氧半电晶体之制造方法,其中该第一闸极氧化层和该第二闸极氧化层的厚度不同。11.如申请专利范围第9项所述金氧半电晶体之制造方法,其中该第一闸极氧化层系对应于核心区,该第二闸极氧化层系对应于输出/输入区。图式简单说明:第一图系绘示一种积体电路晶方的主要布局;第二图A至第二图F系绘示根据本发明一较佳实施例之一种金氧半电晶体之制造流程剖面图;以及第三图A至第三图E系绘示根据本发明另一实施例之一种双重临限电压制程结合局部通道植入制程,以形成金氧半电晶体的制造流程之剖面图。 |
