| 主权项 |
1.一种使用SH式表面波之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,包括:具有两个相对的边缘表面之压电基质;及第一及第二叉指换能器每个具有数个电极指而且配置在该压电基质以至于由第一及第二叉指换能器之一所激发的剪切水平表面波系介于两个相对的边缘表面间被反射以形成驻波;其中第一及第二叉指换能器之频率特性的衰减杆邻近由介于两个相对的边缘表面间距离所决定之假信号响应之频率位置。2.如申请专利范围第1项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中第一及第二叉指换能器之成对电极指之数目比率系大约1.2:1.0至1.7:1.0之范围。3.如申请专利范围第1项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中数个至少第一及第二叉指换能器之一可被提供。4.如申请专利范围第1项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中具有大数目成对电极指之第一及第二叉指换能器之一是输入侧或输出侧而且具有相对较少数目成对电极指之第一及第二叉指换能器之另一个系用于阶间连接。5.如申请专利范围第1项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中基质可至少由LiNbO3.LiTaO3.压电单一晶体及压电陶瓷之一所制成。6.如申请专利范围第1项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中该边缘表面大致上系互相平行。7.如申请专利范围第1项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中该第一及第二叉指电极之电极指大致上系平行于边缘表面。8.如申请专利范围第1项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中第一及第二叉指电极之最外电极指被配置以至于与基质之边缘表面同高。9如申请专利范围第1项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中该第一叉指换能器之成对电极之数目是30而且该第二叉指换能器之成对电极指之数目是23。10.一种使用SH式表面波之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,包括:具有两个相对的边缘表面之压电基质;及第一及第二叉指换能器每个具有数个电极指而且配置在该压电基质以至于由第一及第二叉指换能器之一所激发的剪切水平表面波系介于两个相对的边缘表面间被反射以形成驻波;其中第一及第二叉指换能器之成对电极指之数目比率系大约1.2:1.0至1.7:1.0之范围。11.如申请专利范围第10项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中第一及第二叉指换能器之频率特性的衰减杆邻近由介于两个相对的边缘表面间距离所决定之假信号响应之频率位置。12.如申请专利范围第10项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,具中数个至少第一及第二叉指换能器之一可被提供。13.如申请专利范围第10项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中具有大数目成对电极指之第一及第二叉指换能器之一是输入侧或输出侧而且具有相对较少数目成对电极指之第一及第二叉指换能器之另一个系用于阶间连接。14.如申请专利范围第10项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中基质可至少由LiNbO3.LiTaO3.压电单一晶体及压电陶瓷之一所制成。15.如申请专利范围第10项所述之边缘反射式纵尚地连接表面声波滤波器,其中该边缘表面大致上系互相平行。16.如申请专利范围第10项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中该第一及第二叉指电极之电极指大致上系平行于边缘表面。17.如申请专利范围第10项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中第一及第二叉指电极之一最外电极指被配置以至于与基质之边缘表面同高。18.如申请专利范围第10项所述之边缘反射式纵向地连接表面声波滤波器,其中该第一叉指换能器之成对电极之数目是30而且该第二叉指换能器之成对电极指之数目是23。图式简单说明:第一图系显示习知纵向地连接SAW滤波器之立体图。第二图系显示边缘表面反射式之习知纵向地连接SAW滤波器之立体图。第三图系显示本发明较佳实施例之SAW滤波器之平面图。第四图系显示第一较佳实施例之SAW滤波器特性之视图。第五图系显示于第九图之纵向地连接SAW滤波器特性之视图。第六图系显示在边缘表面反射式之习知纵向地连接SAW滤波器介于IDT之频率特性间关系,而且在由介于边缘表面间距离所决定之假信号向应出现的位置。第七图系显示在第一较佳实施例之SAW滤波器中介于第一及第二IDT之频率特性间关系,而且在由介于边缘表面间距离所决定之假信号向应出现的位置。第八图系显示第一实施例之SAW滤波器中介于第一及第二IDT之成对电极指之数目比率间之关系及假信号峰値位准。第九图系显示本发明之第二实施例之SAW滤波器之平面图。第十图系显示于第九图之SAW滤波器之滤波器特性之视图。 |
