Verfahren zur Herstellung eines Doppel-Gate-MOSFET-Transistors

摘要

Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Doppel-Gate-MOSFET-Transistors. Dabei wird eine Halbleiterschichtstruktur (4A) eines zu bildenden Transistorkanals in ein Platzhaltermaterial (3, 5) eingebettet und durch Source- (7A) und Drainbereiche (7B) kontaktiert, die in Vertiefungen eingefüllt werden, die an gegenüberliegenden Seiten der Halbleiterschichtstruktur (4A) geätzt werden. Anschließend wird das Platzhaltermaterial (3, 5) selektiv herausgeätzt und durch das elektrisch leitfähige Gate-Elektrodenmaterial (10) ersetzt.