| 主权项 |
1.一种用于去除玻璃器皿之瑕疵之方法,其中绕着 轴线旋轴之玻璃器皿系接受雷射光束之处理,其特 征为: 第1阶段,须被修整之旋转中之玻璃器皿系接受一 束或多束之连续雷射光柱之作动,俾 -在须被修装之玻璃器皿上藉前述之连续雷射光柱 之束(多束)界定-连续区;及 -进而前述之雷射光柱之束(多束)以每单位表面小 于30W/mm2之功率密度触射前述面积之一或多个部份 ,及 第2阶段,须被修整之玻璃器皿每旋转约一转或至 少一转,在第1阶段时接受一束或多束之连续雷射 光柱之作动之区域则接受具有功率小于250W之聚焦 脉冲雷射光柱之作动俾形成相互间隔之串列之接 续冲击点,进而在前述部份上界定一实质连续之线 ,可去除的瑕疵实质上沿着连续之线予以完成。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中第2阶段上之聚 焦脉冲化雷射光柱之脉冲化及/或须修整之玻璃器 皿之旋转速度系被控制,俾使藉聚焦之脉冲化光柱 造成之接续之冲击点或微孔之两点间相互间隔小 于2mm,最好少于1mm。3.如申请专利范围第1项之方法 ,其中在第2阶段上之聚焦脉冲雷射光柱之脉冲化 及/或须修整之玻璃器皿之旋转速度系被控制,俾 使藉聚焦之脉冲化光柱造成之连续冲击点或微孔 之两点间之间隔小于10m至1mm,最好为100m至800 m。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法, 其中于第1阶段上,须被修整之玻璃器皿之前述区 域至少接受一束或多束连续之雷射光之柱作动达 至少3转,最好至少为5转,俾前述之多束光柱以每单 位表面小于25W/mm2之功率密度触射前述区域之一或 多个部份。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之 方法,其中于第1阶段上,须被修整之玻璃器皿之前 述区域至少接受一束或多束连续之雷射光柱之作 动达至少3转,最好至少为5转,俾前述之多束光柱以 每单位表面之功率在5W/mm2到20W/mm2之范围触射前述 区域之一或多个部份。6.如申请专利范围第1至3项 中任一项之方法,其中为聚焦之脉冲化雷射光柱之 脉冲化系被控制俾使脉冲频率在500至1500HZ,特别在 800至1200HZ范围内。7.如申请专利范围第4项之方法, 其中为聚焦之脉冲化雷射光柱之脉冲化系被控制 俾使脉冲频率在500至1500HZ,特别在800至1200HZ范围内 。8.如申请专利范围第5项之方法,其中聚焦之脉冲 化雷射光柱之脉冲化系被控制俾使脉冲频率在500 至1500HZ,特别在800至1200HZ范围内。9.如申请专利范 围第1至3项中任一项之方法,其中于第1阶段上接受 一束或多束雷射光柱作动之区域之宽度为2至8mm。 10.如申请专利范围第4项之方法,其中于第1阶段上 接受一束或多束雷射光柱作动之区域之宽度为2至 8mm。11.如申请专利范围第5项之方法,其中于第1阶 段上接受一束或多束雷射光柱作动之区域之宽度 为2至8mm。12.如申请专利范围第1至3项中任一项之 方法,其中于第1和第2阶段之间,有一段既定时间期 间,前述之区域未接受一或多束雷射光柱之作动。 13.如申请专利范围第4项之方法,其中于第1和第2阶 段之间,有一段既定时间期间,前述之区域未接受 一或多束雷射光柱之作动。14.如申请专利范围第5 项之方法,其中于第1和第2阶段之间,有一段既定时 间期间,前述之区域未接受一或多束雷射光柱之作 动。15.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法, 其中于第1和第2阶段之间,有对应于在第1阶段上前 述区域接受一或多束雷射之作动之时间期间之至 少5%之时间期间未接受一或多束之雷射光柱之作 动。16.如申请专利范围第4项之方法,其中于第1和 第2阶段之间,有对应于在第1阶段上前述区域接受 一或多束雷射之作动之时间期间之至少5%之时间 期间未接受一或多束之雷射光柱之作动。17.如申 请专利范围第5项之方法,其中于第1和第2阶段之间 ,有对应于在第1阶段上前述区域接受一或多束雷 射之作动之时间期间之至少5%之时间期间未接受 一或多束之雷射光柱之作动。18.如申请专利范国 第1至3项中任一项之方法,其中于第1阶段上,前述 区域系接受一或多束雷射光柱至少第1及第2不同 时间期间之作动,而在一或多束雷射光柱处理之期 间之间之中间期间未接受雷射光柱之作动。19.如 申请专利范围第4项之方法,其中于第1阶段上,前述 区域系接受一或多束雷射光柱至少第1及第2不同 时间期间之作动,而在一或多束雷射光柱处理之期 间之间之中间期间未接受雷射光柱之作动。20.如 申请专利范围第5项之方法,其中于第1阶段上,前述 区域系接受一或多束雷射光柱至少第1及第2不同 时间期间之作动,而在一或多束雷射光柱处理之期 间之间之中间期间未接受雷射光柱之作动。21.如 申请专利范围第18项之方法,其中前述中间期间系 对应于前述区域在第1阶段时接受一或多束雷射光 柱之作动之第1时间期间之至少5%。22.如申请专利 范围第11项之方法,其中前述中间期间系对应于前 述区域在第1阶段时接受一或多束雷射光柱之作动 之第1时间期间之至少5%。23.如申请专利范围第20 项之方法,其中前述中间期间系对应于前述区域在 第1阶段时接受一或多束雷射光柱之作动之第1时 间期间之至少5%。24.如申请专利范围第1至3项中任 一项之方法,其中于第2阶段上,区域之不同部份系 同时分别接受一或多束之连续雷射光柱及聚焦之 脉冲化雷射光柱之作动俾区域之每一部份在被聚 焦之脉冲化雷射光柱触发之前先被一或多束之连 续雷射光柱作动。25.如申请专利范围第4项之方法 ,其中于第2阶段上,区域之不同部份系同时分别接 受一或多束之连续雷射光柱及聚焦之脉冲化雷射 光柱之作动俾区域之每一部份在被聚焦之脉冲化 雷射光柱触发之前先被一或多束之连续雷射光柱 作动。26.如申请专利范围第5项之方法,其中于第2 阶段上,区域之不同部份系同时分别接受一或多束 之连续雷射光柱及聚焦之脉冲化雷射光柱之作动 俾区域之每一部份在被聚焦之脉冲化雷射光柱触 发之前先被一或多束之连续雷射光柱作动。27.如 申请专利范围第24项方法,其中于第2阶段上,区域 之不同部份系同时分别接受一或多束之连续光柱, 及聚焦之脉冲化雷射光柱之作动,俾区域之每一部 份在被聚焦之脉冲化雷射光柱触射之前先被一或 多束之连续雷射光柱触射至少0.05秒,最好至少0.1 秒。28.如申请专利范围第25项方法,其中于第2阶段 上,区域之不同部份系同时分别接受一或多束之连 续光柱,及聚焦之脉冲化雷射光柱之作动,俾区域 之每一部份在被聚焦之脉冲化雷射光柱触射之前 先被一或多束之连续雷射光柱触射至少0.05秒,最 好至少0.1秒。29.如申请专利范围第26项方法,其中 于第2阶段上,区域之不同部份系同时分别接受一 或多束之连续光柱,及聚焦之脉冲化雷射光柱之作 动,俾区域之每一部份在被聚焦之脉冲化雷射光柱 触射之前先被一或多束之连续雷射光柱触射至少0 .05秒,最好至少0.1秒。30.如申请专利范围第1至3项 中任一项之方法,其中脉冲化之聚焦雷射光柱触射 于区域上之冲击点之功率密度系大于500W,最好大 于800W。31.如申请专利范围第4项之方法,其中脉冲 化之聚焦雷射光柱触射于区域上之冲击点之功率 密度系大于500W,最好大于800W。32.如申请专利范围 第5项之方法,其中脉冲化之聚焦雷射光柱触射于 区域上之冲击点之功率密度系大于500W,最好大于 800W。33.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法, 其中为区域系接受脉冲化聚焦雷射光柱之作动,及 该脉冲化之聚焦雷射光柱之脉冲频率系被调整俾 在区域上形成直径小于100m,最好为50m,之冲击 点或微孔之中列。34.如申请专利范围第4项之方法 ,其中区域系接受脉冲化聚焦雷射光柱之作动,及 该脉冲化之聚焦雷射光柱之脉冲频率系被调整俾 在区域上形成直径小于100m,最好为50m,之冲击 点或微孔之中列。35.如申请专利范围第5项之方法 ,其中区域系接受脉冲化聚焦雷射光柱之作动,及 该脉冲化之聚焦雷射光柱之脉冲频率系被调整俾 在区域上形成直径小于100m,最好为50m,之冲击 点或微孔之中列。36.如申请专利范围第1至3项中 任一项之方法,其中于第1阶段上,须被修整之玻璃 器皿系接受至少一束之准直化连续雷射光柱之作 动。37.如申请专利范围第4项之方法,其中于第1阶 段上,须被修整之玻璃器皿系接受至少一束之准直 化连续雷射光柱之作动。38.如申请专利范围第5项 之方法,其中于第1阶段上,须被修整之玻璃器皿系 接受至少一束之准直化连续雷射光柱之作动。39. 一种连续去除玻璃器皿之瑕疵之设施,用于执行如 申请专利范围第1至38项中任一项之方法,前述设施 包含: -含有用于执行去除瑕疵之作业之雷射之装置,其 系对玻璃器皿进行修整俾形成无瑕疵之玻璃器皿 之缘; -含有用于持续进给玻璃器皿进入瑕疵去除装置之 步进驱动系统之装置;及 -用于至少在修整作业进行期间使玻璃绕轴线旋转 之旋转驱动系统, 其特征为包含至少两个雷射,至少第1个雷射系射 出一束连续之雷射光柱之雷射,另至少第2个雷射 系射出聚焦之脉冲化雷射光柱之脉冲化雷射。40. 如申请专利范围第39项之设施,其中包含至少两只 用于将第1雷射射出之连续雷射光束分割成至少第 1及第2之不同光束之偏离器,及用于将前述第1及第 2不同光束分别导到第1及第2处理区域之措施,藉此 ,使须被修整之器皿在被步进驱动系统移送至第2 区域之前先在第1区域被第1光束处理,然后再在第2 区域被第2光束处理。41.如申请专利范围第39项之 设施,其中包含至少一只用于将第1雷射射出之连 续雷射光束分割成至少第1及第2之不同光束之偏 离器,及用于将前述第1及第2不同光束分别导至第1 及第2处理区域之装置,藉此,使须被修整之器皿在 被步进驱动系统移送至第2区域之前先在第1区域 被第1光束处理,然后在第2区域上先被第2光束处理 ,之后被聚焦之脉冲雷射光束处理。42.如申请专利 范围第39至41项中任一项之设施,其中包含用于调 整脉冲化雷射之功率,脉冲化雷射光柱之脉冲频率 ,及须被修整之玻璃器皿之转速之装置。43.如申请 专利范围第39至41项中任一项之设施,其中包含用 于冷却须被修整之玻璃器皿之冷却单元。44.如申 请专利范围第42项之设施,其中包含用于冷却须被 修整之玻璃器皿之冷却单元。45.如申请专利范围 第39至41项中任一项之设施,其中包含用于研磨已 被修整之玻璃器皿之缘之研磨单元。46.如申请专 利范围第42项之设施,其中包含用于研磨已被修整 之玻璃器皿之缘之研磨单元。47.如申请专利范围 第43项之设施,其中包含用于研磨已被修整之玻璃 器皿之缘之研磨单元。48.如申请专利范围第44项 之设施,其中包含用于研磨已被修整之玻璃器皿之 缘之研磨单元。49.如申请专利范围第45项之设施, 其中另外包含用于燃烧已被修整之玻璃器皿之缘 之燃烧单元。50.如申请专利范围第46项之设施,其 中另外包含用于燃烧已被修整之玻璃器皿之缘之 燃烧单元。51.如申请专利范围第47项之设施,其中 另外包含用于燃烧已被修整之玻璃器皿之缘之燃 烧单元。52.如申请专利范围第48项之设施,其中另 外包含用于燃烧已被修整之玻璃器皿之缘之燃烧 单元。53.一种具有已被修整之缘之玻璃器皿,前述 之缘系接近于由相互间隔之雷射光柱之冲击点所 形成之线,或至少局部地对应于由相互间隔之雷射 光柱之冲击点所形成之线,前述冲击点之直径系小 于500m,最好小于250m,且连续之两点间之距离系 小于2mm,最好小于1mm。图式简单说明: 第一图系已修整之玻璃器皿之示意图; 第二图系本发明之设施之示意图; 第三图系示出聚焦之脉冲化雷射在玻璃器皿上之 作动之放大断面图;及 第四图及第五图系示出聚焦之脉冲光束随着时间 变化之两个不同功率密度。 |
