| 发明名称 | 介电元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于通过采用包含绝缘粒子的铁电层,提供具有高Pr和低Ec并且耐电压性能优良的薄膜化的铁电元件。包含绝缘粒子的铁电层可以有效抑制沿晶界产生的漏泄电流,并由此表面出具有高Pr、低Ec及优良的耐电压。铁电元件的结构为铁电层以薄膜的形式夹于电极之间。通过将该铁电元件装进场效应晶体管结构中,可以得到用以检测读出和写入的具有高集成度的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1276089A | 申请公布日期 | 2000.12.06 |
| 申请号 | CN97182437.1 | 申请日期 | 1997.11.10 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 生田目俊秀;铃木孝明;东山和寿;大石知司 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/94;H01B3/12;H01G4/10;H01G4/12;H01G4/20;C03C10/02;C04B35/47;C04B35/475;B32B18/00 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种包含上电极、介电薄膜和下电极的介电元件，其中所述介电薄膜包含电阻值不等于或小于106Ω的绝缘粒子。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||