| 主权项 |
1.一种在DRAM中形成开口的方法,包括:提供一介电层;在该介电层上形成一图案化光阻;使用包含C|^5F|^8的一蚀刻剂蚀刻该介电层;以及移除该光阻。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该开口包括一介层窗开口。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该开口包括一接触窗开口。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该介电层的材质包括氧化物。5.一种自动对准接触窗开口的制造方法,包括:在一基底上形成一第一介电层;在该第一介电层上形成一导电层,且倚靠在该导电层旁形成一间隙壁;在该导电层上形成一第二介电层;在该第二介电层上形成一图案化光阻;使用包括C|^5F|^8的一蚀刻剂蚀刻该第一介电层和该第二介电层;以及移除该光阻。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一介电层的材质包括氧化物。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该导电层的材质包括矽化钨(WSi)。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该导电层包括一位元线。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该导电层的材质包括矽化钨(WSi)。10.如申请专利范围第5项之方法,其中该导电层的材质包括复晶矽。11.如申请专利范围第5项之方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽(SiN)。12.如申请专利范围第5项之方法,其中该自动对准接触窗开口的一直径之范围从0.2m至0.22 m。13.如申请专利范围第5项之方法,其中该第二介电层的材质包括氧化物。14.如申请专利范围第5项之方法,其中该蚀刻剂包括一氩(Ar)。15. 如申请专利范围第14项之方法,其中该氩用于撞击和移除蚀刻反应剩余的部份。16. 如申请专利范围第5项之方法,其中该第一介电层和该第二介电层的蚀刻系藉由乾式蚀刻。 |
