发明名称 | 一种大角度Y分支硅光功率分配器的制作方法 | ||
摘要 | 一种大角度Y分支硅光功率分配器的制作方法,主要特点是采用掺杂的方法改变分支处的折射率,并采用先掺杂后键合和双面光刻工艺,在玻璃衬底上制作大角度Y分支硅光功率分配器,本方法的优点体现为背面掺杂正面刻蚀,因而掺杂深度适当减小,就可满足大截面脊形波导的要求;玻璃衬底对光的限制效果好。 | ||
申请公布号 | CN1274857A | 申请公布日期 | 2000.11.29 |
申请号 | CN00115582.2 | 申请日期 | 2000.04.29 |
申请人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明人 | 王跃林;王文辉;李铁;解健芳 |
分类号 | G02B6/28;G03F7/09 | 主分类号 | G02B6/28 |
代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 张泽纯 |
主权项 | 1、一种大角度Y分支硅光功率分配器的制作方法,其特征在于它采用硅作波导层,玻璃作限制层,背面掺杂正面刻蚀技术,先掺杂后健合和双面光刻工艺而制作。 | ||
地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 |