| 主权项 |
1. 一种半导体装置,包含: 一个第一半导体本体(21.22.23); 一扩散层(12;11'),位于该第一半导体本体中; 一绝缘层(24)之一叠层状结构,位于该第一半导体 本 体上,并相邻于该扩散层与一个位于该绝缘层上之 导电层 (13';13); 一绝缘间隔部(26b),位于该叠层状结构之一侧壁 上,该间隔部具有一宽度W;以及 一个第二半导体本体(28),具有一共通接触孔(30; 30'),用以建立在该扩散层(12;11')与该导电层(13'; 13)之间的欧姆接触,该共通接触孔具有一中心轴, 位于 一个从该导电层之一边缘W/2的距离,俾能使经由该 共通 接触孔暴露到外部的该扩散层与该导电层的部分, 具有实 质上相同的区域。2. 一种半导体装置,包含: 一个第一半导体本体(21.22.23); 一扩散层(12;11'),设于该第一半导体本体中; 一绝缘层(24)之一叠层状结构,位于该第一半导体 本 体上,并相邻于该扩散层、一个位于该绝缘层上之 多晶矽 层(13';13)、以及一个位于该多晶矽层(13';13)上之第 一金属矽化物层(25); 一绝缘间隔部(26b),位于该叠层状结构之一侧壁 上; 一个第二金属矽化物层(27),位于该扩散层中,该第 二金属矽化物层之边缘与该叠层状结构之边缘隔 开之距离 等于该间隔部之宽度;以及 一个第二半导体本体(28),具有一共通接触孔(30; 30'),用以建立一个在该第一与第二金属矽化物层( 25. 27)之间的欧姆接触,该共通接触孔具有一中心轴, 位于 从该第一与第二金属矽化物层边缘的相等距离,俾 能使经 由该共通接触孔暴露于外部的该第一与第二金属 矽化物层 的部分具有实质上相同的区域。3. 如申请专利范 围第2项之半导体装置,其中,该第 二金属矽化物层(27)与该扩散层(12;11')系共用以一 种 具有与该扩散层相同导电型态的杂质掺杂之一部 份(31)。4. 一种半导体装置,包含: 一个第一半导体本体(21.22.23); 一扩散层(12;11'),位于该第一半导体本体中; 一绝缘层(24)之一叠层状结构,位于该第一半导体 本 体上,并相邻于该扩散层、一个位于该绝缘层上之 多晶矽 层(13';13)、以及一个位于该多晶矽层(13';13)上之第 一金属矽化物层(25); 绝缘间隔部(26a、26b),分别位于该叠层状结构的侧 壁上; 一个第二金属矽化物层(27),位于该扩散层中,该第 二金属矽化物层具有一个边缘,与该间隔部之其中 一个 (26a)相邻;以及 一个第二半导体本体(28),具有一共通接触孔(30; 30'),用以建立一个在该第一金属矽化物层(27)与该 第二 金属矽化物层(13';13)之间的欧姆接触,该共通接触 孔 具有一中心轴,位于从该第一与第二金属矽化物层 之边缘 的相等距离,俾能使该第一与第二金属矽化物层之 经由该 共通接触孔暴露在外部的部分具有实质上相同的 区域。5. 一种单位单元格或一种静态随机存取记 忆体,包 含: 一个第一半导体本体(21.22.23); 一扩散层(12;11'),位于该第一半导体本体中; 一绝缘层(24)之一叠层状结构,位于该第一半导体 本 体上,并相邻于该扩散层与一个位于该绝缘层上之 导电层 (13';13); 一绝缘间隔部(26b),位于该叠层状结构之一侧壁 上,该间隔部具有一宽度W;以及 一个第二半导体本体(28),具有一共通接触孔(30; 30'),用以建立一个在该扩散层(12;11')之一部份与该 导电层(13';13)之间的欧姆接触,该共通接触孔具有 一 中心轴,位于从该导电层之一边缘W/2的距离,俾能 使该 扩散层与该导电层之经由该共通接触孔暴露到外 部的部分 具有实质上相同的区域。6. 一种静态随机存取记 忆体之一单位单元格,包 含: 一个第一半导体本体(21.22.23); 一扩散层(12;11'),位于该第一半导体本体中; 一绝缘层(24)之一叠层状结构,位于该第一半导体 本 体上,并相邻于该扩散层、一个位于该绝缘层上之 多晶矽 层(13';13)、以及一个位于该多晶矽层(13';13)上之第 一金属矽化物层(25); 一绝缘间隔部(26b),位于该叠层状结构之一侧壁 上; 一个第二金属矽化物层(27),位于该扩散层中,该第 二金属矽化物层之边缘与该第一金属矽化物层之 边缘隔开 之距离等于该间隔部之宽度;以及 一个第二半导体本体(28),具有一共通接触孔(30; 30'),用以建立一个在该第一与第二金属矽化物层( 25. 27)之间的欧姆接触,该共通接触孔具有一中心轴, 位于 从该第一与第二金属矽化物层之边缘的相等距离, 俾能使 经由该共通接触孔暴露到外部之该第一与第二金 属矽化物 层的部分具有实质上相同的区域。7. 如申请专利 范围第6项之单位单元格,其中,该第 二金属矽化物层(27)与该扩散层(12;11')系共用以一 种 具有与该扩散层相同导电型态的杂质掺杂之一部 份(31)。8. 一种静态随机存取记忆体之单位单元格 ,包含: 一个第一半导体本体(21.22.23); 一扩散层(12;11'),位于该第一半导体本体中; 一绝缘层(24)之一叠层状结构,位于该第一半导体 本 体上,并相邻于该扩散层、一个位于该绝缘层上之 多晶矽 层(13';13)、以及一个位于该多晶矽层(13';13)上之第 一金属矽化物层(25); 绝缘间隔部(26a、26b),分别位于该叠层状结构之各 侧壁上; 一个第二金属矽化物层(27),位于该扩散层中,该第 二金属矽化物层具有一个边缘,与该间隔部之其中 一个 (26a)相邻;以及 一个第二半导体本体(28),具有一共通接触孔(30; 30'),用以建立一个在该第一金属矽化物层(27)与该 第二 金属矽化物层(13';13)之间的欧姆接触,该共通接触 孔 具有一中心轴,位于从该第一与第二金属矽化物层 的边缘 之相等距离,俾能使经由该共通接触孔暴露到外部 的该第 一与第二金属矽化物层的部分具有实质上相同的 区域。9. 一种制造半导体装置之方法,包含以下步 骤: a)形成一个第一半导体本体(21.22.23); b)在该第一半导体本体上形成一绝缘层(24)之一叠 层 状结构,以及在该绝缘层上形成一导电层(13';13); c)在该叠层状结构的侧壁上,形成绝缘间隔部(26a、 26b),各该间隔部具有一宽度W; d)在该第一半导体本体中,形成一扩散层(12; 11'),俾能使该扩散层之一边缘相邻于该间隔部之 其中一 个(26a); e)形成一个第二半导体本体(28);以及 f)在该第二半导体本体中,形成一共通接触孔(30; 30'),用以建立一个在该扩散层(12;11')与该导电层 (13';13)之间的欧姆接触,共通接触孔之一中心轴系 位 于从该叠层状结构之一边缘W/2的距离,俾能使经由 该共 通接触孔暴露到外部之该扩散层与该导电层的部 分具有实 质上相同的区域。10. 如申请专利范围第9项之方 法,更包含移除位于 该共通接触孔之内的该间隔部之其中一个(26a)的 步骤。11. 如申请专利范围第10项之方法,更包含经 由该共 通接触孔掺杂一种与该扩散层相同导电型态的杂 质之步 骤。12. 一种制造半导体装置之方法,包含以下步 骤: a)形成一个第一半导体本体(21.22.23); b)在该第一半导体本体上形成一绝缘层(24)之一叠 层 状结构,在该绝缘层上形成一多晶矽层(13';13),以及 在该多晶矽层上形成一个第一金属矽化物层(25); c)在该叠层状结构的侧壁上形成绝缘间隔部(26a、 26b); d)在该第一半导体本体中形成一扩散层(12;11'), 俾能使该扩散层之一边缘相邻于该间隔部之其中 一个 (26a); e)在该扩散层中形成一个第二金属矽化物层(27),俾 能使第二金属矽化物层之一边缘相邻于该间隔部 之其中一 个(26a); f)形成一个第二半导体本体(28);以及 g)在该第二半导体本体中形成一共通接触孔(30; 30'),用以建立一个在该第一与第二金属矽化物层( 25. 27)之间的欧姆接触,共通接触孔之一中心轴系位于 从该 第一与第二金属矽化物层之边缘的相等距离,俾能 使经由 该共通接触孔暴露到外部之该扩散层与该导电层 的部分具 有实质上相同的区域。13. 如申请专利范围第12项 之方法,更包含移除位于 该共通接触孔之内的该间隔部之其中一个(26a)的 步骤。14. 如申请专利范围第13项之方法,更包含经 由该共 通接触孔掺杂一种与该扩散层相同导电型态的杂 质之步 骤。 |
