加氟碳膜及其形成方法

摘要

由于使用CF膜来作为一半导体元件之层间绝缘层时，其遗漏电流甚高，无法获致规定的特性，故必须要将其遗漏电流降低。本发明系使用Ar气体作为电浆产生用气体，同时系使用C与F的化合物气体，例如C4F8气体、及碳化氢气体，例如C2H4,以及含B气体，例如BF3气体，作为成膜气体，并将该等成膜气体电浆化，藉由其游离基而于一半导体晶圆(10)上形CF膜。由于藉由B气体的添加，即可使存在于CF膜中的未反应的C、F未结合键与硼相结合，进而部份减少上述未结合键，因此可较不易形成电流通路，进而降低遗漏电流。

主权项

/AIT{1.一种加氟碳膜,其特征在于:}/ait{该加氟碳膜系包含有:碳、氟、及硼。}/AIT{2.一种加氟碳膜的形成方法,其中该加氟碳膜系包含有碳、氟、及硼,其特征在于:}/ait{该方法系先将一成膜气体分解,并藉由化学气相反应而将该加氟碳膜成膜于一被处理基板上,其中该成膜气体系包含有一碳氟化合物气体、及一含硼气体。}/AIT{3.一种加氟碳膜的形成方法,其中该加氟碳膜系包含有碳、氟、及硼,其特征在于:}/ait{该方法系包含有一成膜制程、一植入制程、及一加热制程,其中该成膜制程系用以将一含有碳氟化合物气体之成膜气体分解,并藉由化学气相反应而于一被处理基板上形成加氟碳膜;该植入制程系用以于形成加氟碳膜之后,将硼离子植入于成膜于被处理基板上之加氟碳膜中;该加热制程系接于上述制程之后,其系用以将该植入有硼离子的加氟碳膜之被处理基板加热。}/AIT{4.一种加氟碳膜的形成方法,其中该加氟碳膜系包含有碳、氟、及硼,其特征在于:}/ait{该方法系包含有一成膜制程、及一喷射制程,其中该成膜制程系用以将一含有碳氟化合物气体之成膜气体分解,并藉由化学气相反应而于一被处理基板上形成加氟碳膜;该喷射制程系接于上述制程之后,其系用以将一含硼气体电浆化,并将该电浆喷射于在上述制程中成膜于被处理基板上之加氟碳膜中。}/tt第一图系为用以实施本发明之方法的电浆处理装置的纵剖侧面图。第二图a-第二图b系为说明本发明方法之作用的模式图。第三图系表示CF膜之遗漏电流测定结果的特性图。第四图系表示CF膜之遗漏电流测定结果的特性图。第五图系表示CF膜之遗漏电流测定结果的特性图。第六图系为说明本发明方法之另一例的制程说明图。第七图系表示CF膜之遗漏电流测定结果的特性图。第八图系为说明本发明方法之另一例的制程说明图。第九图系表示CF膜之遗漏电流测定结果的特性图。第十图系为习知电浆处理装置的剖面图。第十一图系半导体元件之构造例的说明图。第十二图系为针对添加用BF₃漪y量与CF膜之比介电率间的关系进行测定的测定结果说明图。