| 摘要 |
<p>Strahlungsemittierender Halbleiterchip, insbesondere auf der Basis von GaN/GaInN, bei dem die aktive Schicht eine Einfach- oder Mehrfach-Quantenwell-Struktur aufweist. Die aktive Schicht weist sehr dünne Quantenfilme (Dicke maximal 3 nm) und/oder elektrisch leitend dotierte Barriereschichten und/oder Quantenfilme auf. Die Wellenlänge der emittierten Strahlung ist weitestgehend unabhängig gegenüber Veränderungen der Stromstärke durch den Chip.</p> |
