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发明名称 METHOD FOR FORMING A V-TYPE GATE ELECTRODE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE V-TYPE GATE ELECTRODE
摘要
申请公布号 KR100239994(B1) 申请公布日期 2000.01.15
申请号 KR19970013188 申请日期 1997.04.10
申请人 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 SASAKI, HEDEHIKO;YOKOI, YASUSHI;MONDEN, KOJI
分类号 G03F7/26;H01L21/027;H01L21/285;H01L21/338;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/41;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/812;H01L21/28;H01L29/423 主分类号 G03F7/26
代理机构 代理人
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