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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME
摘要 <p>게이트전극의 층저항 상승을 억제하고, 실리사이드층을 가진 게이트전극의 콘택저항 상승을 방지할 수 있는 반도체 장치가 제공된다. 상기 반도체장치의 특성들은 게이트전극의 최하층은 불순물로 도핑되고, 이외의 상층들은 도핑되지 않은 다층을 구비하는 게이트전극을 형성함으로써 제공된다.</p>
申请公布号 KR19990082908(A) 申请公布日期 1999.11.25
申请号 KR19990011699 申请日期 1999.04.02
申请人 null, null 发明人 이마이기요타카
分类号 H01L21/20;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/49;H01L29/78 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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