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<p>알루미나입자와, 산화제로서의 HO를 포함하는 슬러리를 사용한 구리표면의 화학기계연마공정을 구비하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 연마시의 알루미나입자의 함유량이 슬러리전체량에 대하여 2~10 중량%이고, 또한, 상기 HO의 농도가 슬러리중의 액체성분에 대하여 8~26중량%인 것을 특징으로 함으로써, 경제적으로도 유리하고, 간단한 방법으로, CMP에 의한 금속막의 연마면의 평탄성, 즉, 연마속도의 면내균일성을 달성할 수 있는 반도체장치의 제조방법을 제공한다.</p> |
