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1.一种一氧化碳之吸附剂,其包括一含下列成分之 复合物:多孔无机载体,以及载于该载体上之含氮 化合物与卤化亚铜(I)的二元错合物, 该含氮化合物系选自下列至少一者:(a)至少一个 啶化合物,选自啶与经C1-C4烷基取代之啶,及(b) 下式(1)所示二胺: 其中n为2或3;R1,R2,R3与R4各为氢原子或C1-C4烷基,惟 当n为2时则R1,R2,R3与R4中至少二者为C1-C4烷基,惟当n 为3时则R1,R2,R3与R4中至少一者为C1-C4烷基,其中该 二元错合物包含之含氮化合物的莫耳比相对于二 元错合物中的卤化亚铜(I)为0.2至5.0。2.如申请专 利范围第1项之吸附剂,其中该多孔无机载体上负 载之二元错合物的量为0.2至10mmol,以每克多孔无机 载体上之二元错合物的铜(I)莫耳数计。3.如申请 专利范围第1项之吸附剂,其中该多孔无机载体系 选自下列群体:矽胶,活性炭,氧化铝,氧化镁,氧化 钛,氧化锆,二氧化矽-氧化镁,沸石与二氧化矽-氧 化铝。4.如申请专利范围第3项之吸附剂,其中该多 孔无机体系选自矽胶与活性炭。5.一种制造一氧 化碳吸附剂之方法,其包括令多孔无机载体与含氮 化合物及卤化亚铜(I)之二元错合物于有机溶剂中 所成溶液接触, 该含氮化合物系选自下列至少一者:(a)至少一个 啶化合物,选自啶与经C1-C4烷基取代之啶,以及 (b)下式(1)所示二胺: 其中n为2或3;R1,R2,R3与R4各为氢原子或C1-C4烷基,惟 当n为2时则R1,R2,R3与R4中至少二者为C1-C4烷基,惟当n 为3时则R1,R2,R3与R4中至少一者为C1-C4烷基, 其中该二元错合物包含之含氮化合物的莫耳比相 对于二元错合物中的卤化亚铜(I)为0.2至5.0,而得出 包括一含有多孔无机载体以及载于该载体上之含 氮化合物与卤化亚铜(I)二元错合物之复合物。6. 如申请专利范围第5项之方法,其中令含氮化合物 与卤化亚铜(I)于有机溶剂中接触而制成二元错合 物之溶液。7.如申请专利范围第5或6项之方法,其 中该有机溶剂系边自下列群体:含羟基化合物,含 氰基化合物,含羰基化合物与卤化烃。8.一种自含 有一氧化碳之气体混合物中分离一氧化碳之方法, 其包括令含有一氧化碳之气体混合物与如申请专 利范围第1至4项中任一项之吸附剂接触而使一氧 化碳被吸附在吸附剂上。9.一种提高环境中一氧 化碳浓度的方法,其包括令含有一氧化碳之气体混 合物与如申请专利范围第1至4项中任一项之吸附 剂接触而使一氧化碳被吸附在吸附剂上,然后令此 吸附有一氧化碳之吸附剂在环境中接受至少一种 如下处理:于预先所选环境中接受热处理,曝露于 减压环境中,以及曝露于一氧化碳被排除之环境中 ,使得此吸附有一氧化碳之吸附而释出一氧化碳至 该环境中,因此提高环境中一氧化碳之浓度。10.一 种再生一氧化碳吸附用之方法,其包括 提供一受损吸附剂,其系由如申请专利范围第1至4 项中之吸附用与含氧气体接触而制成,且受损的是 对一氧化碳之吸附与去吸附能力;以及 以还原剂处理该受损吸附剂。 |
