| 主权项 |
1.一种树脂封装型半导体装置,系包含有:半导体元 件; 安装上述半导体元件的内部散热器;以上述内部散 热器之 一部分定义为露出面而封装的树脂封装;设于上述 露出面 之焊锡层;及接合于上述焊锡层且具安装于上述内 部散热 器之接合面的外部散热器;其特征为:上述露出面 及接合 面系利用上述焊锡层处于溶融状态时之焊锡之表 面张力使 该露出面靠向该接合面之中央方向而形成者。2. 一种树脂封装型半导体装置,系包含有:具电极之 半导 体元件;具元件设置面用以安装上述半导体元件的 内部散 热器;相对上述半导体元件分离配设的引线;将上 述引线 及电极作电连接的导线;设于上述引线及内部散热 器之间 的绝缘体;以上述内部散热器之一部分定义为露出 面而封 装的树脂封装;设于上述露出面的焊锡层;及接合 于上述 焊锡层且安装于上述内部散热器之接合面的外部 散热器; 其特征为:上述露出面及接合面系利用上述焊锡层 处于溶 融状态时之焊鍚之表面张力而使该露出面靠向该 接合面之 中央方向而形成者。3.一种树脂封装型半导体装 置,系包含有:半导体元件; 安装上述半导体元件的内部散热器;以上述内部散 热器之 一部分定义为露出面而封装的树脂封装;设于上述 露出面 之焊锡层;及接合于上述焊锡层且具安装于上述内 部散热 器之接合面的外部散热器;其特征为:上述露出面 之面系 大于上述接合面之面积者。4.一种树脂封装型半 导体装置,系包含有:具电极之半导 体元件;具元件设置面用以安装上述半导体元件的 内部散 热器;相对上述半导体元件分离配设的引线;将上 述引线 及电极作电连接的导线;设于上述引线及内部散热 器之间 的绝缘体;以上述内部散热器之一部分定义为露出 面而封 装的树脂封装;设于上述露出面的焊锡层;及接合 于上述 焊锡层且具安装于上述内部散热器之接合面的外 部散热器 ;其特征为:上述露出面之面积系大于上述接合面 之面积 者。5.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体 装置,其中 上述焊锡层系藉溶融状态时之表面张力而具有嵌 框( fillet),上述露出面之面积系较上述接合面仅大出 上述 嵌框之投影于上述露出面之面积者。6.如申请专 利范围第2项之树脂封装型半导体装置,其中 上述焊锡层系藉溶融状态时之表面张力而具有嵌 框( fillet),上述露出面之面积系较上述接合面仅大出 上述 嵌框之投影于上述露出面之面积者。7.如申请专 利范围第3项之树脂封装型半导体装置,其中 上述焊锡层系藉溶融状态时之表面张力而具有嵌 框( fillet),上述露出面之面积系较上述接合面仅大出 上述 嵌框之投影于上述露出面之面积者。8.如申请专 利范围第4项之树脂封装型半导体装置,其中 上述焊锡层系藉溶融状态时之表面张力而具有嵌 框( fillet),上述露出面之面积系较上述接合面仅大出 上述 嵌框之投影于上述露出面之面积者。9.如申请专 利范围第7项之树脂封装型半导体装置,其中 上述露出面系作成与上述接合面相似形状者。10. 如申请专利范围8项之树脂封装型半导体装置,其 中上 述露出面系作成与上述接合面相似形状者。11.如 申请专利范围第1-10项中之任一项之树脂封装型半 导体装置,其中为使上述半导体元件及内部散热器 间接固 定,而备有具有载置上述半导体元件之面且被固定 在上述 内部散热器的元件载置器者。12.一种树脂封装型 半导体装置之制造方法,系包含有以 下步骤:A.将具引线之引线构架介由绝缘体固定在 内部散 热器上,将半导体元件安装于内部散热器,将上述 引线及 半导体元件之电极藉导线作电连接;B.以上述内部 散热器 之一部分定义为露出面,藉树脂模铸形成树脂封装 ;C.介 由焊锡层便上述内部散热器之露出面接合于外部 散热器之 接合面;D.加热上述焊锡层使成溶融状态,溶融状态 之焊 锡之表面张力使上述露出面靠向上述接合面之中 央方向。13.一种树脂封装型半导体装置之制造方 法,系包含有以 下步骤:A.将具引线之引线构架介由绝缘体固定在 内部散 热器上,将半导体元件安装于内部散热器,将上述 引线及 半导体元件之电极藉导线作电连接;B.以上述内部 散热器 之一部分定义为露出面,藉树脂模铸形成树脂封装 ;C.介 由焊锡层使上述内部散热器之露出面接合于外部 散热器之 接合面,上述露出面之面积大于上述接合面之面积 ;D.加 热上述焊锡层使成溶融状态,溶融状态之焊锡之表 面张力 使上述露出面靠向上述接合面之中央方向。14.如 申请专利范围第12项之树脂封装型半导体装置之 制 造方法,其中于上述步骤C中,将上述焊锡层设于上 述露 出面及接合面两者后,使该接合面接合于接合面者 。15.如申请专利范围第13项之树脂封装型半导体 装置之制 造方法,其中于上述步骤C中,将上述焊锡层设于上 述露 出面及接合面两者后,使该接合面接合于接合面者 。16.如申请专利范围第12项之树脂封装型半导体 装置之制 造方法,其中于上述步骤C中,将上述焊锡层设于上 述露 出面后,使该露出面接合于接合面者。17.如申请专 利范围第13项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤C中,将上述焊锡层设于上 述露 出面后,使该露出面接合于接合面者。18.如申请专 利范围第16项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤D中,将上述外部散热器加 热至 180-250℃后,使上述焊锡层加热者。19.如申请专利 范围第17项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤D中,将上述外部散热器加 热至 180-250℃后,使上述焊锡层加热者。20.如申请专利 范围第12项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤D中,将上述树脂封装加热 至100 -200℃后,使上述焊锡层加热者。21.如申请专利范 围第13项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤D中,将上述树脂封装加热 至100 -200℃后,使上述焊锡层加热者。22.如申请专利范 围第14项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤D中,将上述树脂封装加热 至100 -200℃后,使上述焊锡层加热者。23.如申请专利范 围第15项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤D中,将上述树脂封装加热 至100 -200℃后,使上述焊锡层加热者。24.如申请专利范 围第16项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤D中,将上述树脂封装加热 至100 -200℃后,使上述焊锡层加热者。25.如申请专利范 围第17项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤D中,将上述树脂封装加热 至100 -200℃后,使上述焊锡层加热者。26.如申请专利范 围第18项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤D中,将上述树脂封装加热 至100 -200℃后,使上述焊锡层加热者。27.如申请专利范 围第19项之树脂封装型半导体装置之制 造方法,其中于上述步骤D中,将上述树脂封装加热 至100 -200℃后,使上述焊锡层加热者。28.如申请专利范 围第12-27项中之任一项之树脂封装型 半导体装置之制造方法,其中于上述步骤A中,将半 导体 元件载置于元件载置器,将上述元件载置器固定于 上述内 部散热器者。图式简单说明:第一图:本发明实施 形态之 半导体装置之模式纵断面图。第二图:第一图中之 树脂封 装及散热片除掉之状态,沿A-A线之半导体装置之平 面图 。第三图:第一图所示半导体装置之内部散热器与 散热片 间之接合部分之扩大纵断面图。第四图:第一图所 示半导 体装置之内部散热器之露出面与散热片之接合面 之关系图 。第五图:散热片因溶融焊锡层之表面张力而移动 之状态 模式图。第六图A-第六图6C:第一图之半导体装置 之制 程之模式纵断面图。第七图:内部散热器之露出面 与散热 片之接合面之形状变形例。第八图:散热片之变形 例之纵 断面图。第九图:另一实施形态之半导体装置之示 意图。 第十图:第九图之半导体装置中除掉外部散热片之 状态之 图。第十一图A-第十一图E:将具3片圆板部之外部 散热 器安装于树脂封装之内部散热器之露出面上之工 程之概略 图。第十二图:回流工程中之半导体装置之温度测 定结果 。第十三图:具散热片之习知半导体装置之纵断面 图。 |
