矽晶圆的评价方法

摘要

本发明提供一可改善镜面加工研磨制程之评价矽晶圆的方法，其检测因镜面加工研磨制程在矽晶圆上形成之损害所造成之氧化层绝缘特性的改变。评价方法包括：将已经镜面加工研磨之矽晶圆浸入稀释氢氟酸中；清洗矽晶圆表面；使经表面清洗之矽晶圆在氧气环境下实施热处理，以形成热氧化层；在该热氧化层上形成具有预定面积及预定数目之复晶矽电极；在上述预定数目之复晶矽电极及矽晶圆间的每一电极提供一电压；以及依据由测量氧化层绝缘所获得之漏电电流之崩溃电场强度以判断镜面加工研磨制程的品质。

主权项

1.一种矽晶圆的评价方法,包括: 将已经镜面加工研磨之矽晶圆浸入稀释氢氟酸中;清洗矽晶圆表面;使经表面清洗之矽晶圆在氧气环境下实施热处理,以形成热氧化层;在该热氧化层上形成具有预定面积及预定数目之复晶矽电极;在该预定数目之复晶矽电极及矽晶圆间的每一电极提供一电压;依据由测量氧化层绝缘所获得之漏电电流之崩溃电场强度以判断镜面加工研磨制程的品质。图式简单说明:第一图系显示出依据本发明之评价矽晶圆方法的流程图;以及第二图系显示出矽晶圆之氧化层绝缘测量之结果的图示。