| 主权项 |
1.一种钽酸锂基板,系具有使晶锭形钽酸锂保持在 650℃和1650℃间的温度下,同时将该晶锭形钽酸锂 埋入碳粉中,或碳容器中进行热处理之热历程者。 2.一种钽酸锂基板,系具有使晶锭形钽酸锂保持在 650℃和1400℃之间的温度下,同时将该晶锭形钽酸 锂埋入Si粉中,或Si容器中进行热处理之热历程者 。 3.一种钽酸锂基板,系具有使晶片形钽酸锂保持在 350℃和600℃之间的温度下,同时将该晶片形钽酸锂 埋入选自Ca、Al、Ti及Si所成群组的金属粉末中进 行热处理之热历程者。 4.一种钽酸锂基板,系具有使晶片形钽酸锂保持在 350℃或更高但低于Zn熔点的温度下,同时将该晶片 形钽酸锂埋入Zn粉中进行热处理之热历程者。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项之钽酸锂基板 ,其中,该热处理系持续4小时或更久。 6.如申请专利范围第1至4项中任一项之钽酸锂基板 ,系藉由热处理加以黑化者。 7.一种制造钽酸锂基板之方法,系使用丘克拉斯基 法所生长的钽酸锂晶体且包括下列步骤:在650℃和 1650℃之间的保持温度下,将该晶锭形钽酸锂晶体 埋入碳粉中或碳容器中进行热处理者。 8.一种制造钽酸锂基板之方法,系使用丘克拉斯基 法所生长的钽酸锂晶体,且包括下列步骤:在650℃ 和1400℃之间的保持温度下,将该晶锭形钽酸锂晶 体埋入Si粉中或Si容器中进行热处理者。 9.一种制造钽酸锂基板之方法,系使用丘克拉斯基 法所生长的钽酸锂晶体,且包括下列步骤:在350℃ 和600℃之间的保持温度下,将该晶片形钽酸锂晶体 埋入选自Ca、Al、Ti及Si所成群组的金属粉末中进 行热处理者。 10.一种制造钽酸锂基板之方法,系使用丘克拉斯基 法所生长的钽酸锂晶体,并包括下列步骤:在350℃ 或更高但低于Zn熔点的保持温度下,将该晶片形钽 酸锂晶体埋入Zn粉进行热处理者。 11.如申请专利范围第7至10项中任一项之制造钽酸 锂基板之方法,其中,该热处理系持续4小时或更久 者。 |
