SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH FOREIGN ATOMS INTRODUCED BY ION IMPLANTATION AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit durch Implantation eingebrachten Fremdatomen, welche durch einen Ausheilprozess elektrisch aktiviert werden, wobei das Bauelement unmittelbar nach dem Ausheilprozess eine mittlere Oberflächenrauhigkeit von weniger als 15 nm aufweist. Dafür wird dem Bauelement während des Ausheilprozesses zuzätzlich Silizium zugegeben.