GaN/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>复合材料在Ⅲ－V族氮化物外延生长中做衬底的方法

摘要

本发明首次提出了一种以GaN/Al₂O₃做为一种Ⅲ－Ⅴ族氮化物外延的复合衬底及其制备方法和有关的质量要求;直接生长GaN等Ⅲ－Ⅴ族氮化物单晶薄膜,提高成品率,有好的重复性,涉及以GaN为基础的光发射二极管(LED)、激光器(LD)、场效应晶体管(FET)、光电探测器等器件的制备,并直接和Ⅲ－Ⅴ氮化物半导体的光电器件、电子学器件的制备技术有关。

主权项

1.一种GaN/Al2O3复合材料在III-V族氮化物外延生长中做衬底的方法，复合材料分为Al2O3层，GaN过渡层和GaN层，其特征在于GaN/Al2O3复合材料的GaN层表面如镜面光亮，无色透明，1000倍光学显微镜下观测不到明显的缺陷特征，用此复合材料做为衬底直接生长GaN等III-V族氮化物。