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发明名称 Halbleitereinrichtung mit selbstausgerichteter Kontaktstruktur für Feldeffekttransistoren und Herstellungsverfahren für diese
摘要
申请公布号 DE4113962(C2) 申请公布日期 1997.12.11
申请号 DE19914113962 申请日期 1991.04.29
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 MOTONAMI, KAORU, ITAMI, HYOGO, JP;AJIKA, NATSUO, ITAMI, HYOGO, JP;HACHISUKA, ATSUSHI, ITAMI, HYOGO, JP;OKUMURA, YOSHINORI, ITAMI, HYOGO, JP;MATSUI, YASUSHI, ITAMI, HYOGO, JP
分类号 H01L27/10;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8242;H01L23/485;H01L23/522;H01L27/108;H01L29/417;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/283 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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