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发明名称 Herstellungsverfahren eines Halbleiterwafers
摘要
申请公布号 DE68927871(D1) 申请公布日期 1997.04.24
申请号 DE1989627871 申请日期 1989.11.06
申请人 SONY CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 YAGI, ATSUO, SHINAGAWA-KU TOKYO, JP;MATSUSHITA, TAKESHI, SHINAGAWA-KU TOKYO, JP;HASHIMOTO, MAKOTO, SHINAGAWA-KU TOKYO, JP
分类号 H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/335;H01L21/762;H01L21/78;H01L29/775;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/84 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
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