清洗真空处理设备的方法

摘要

按照真空处理设备的清洗方法，在真空处理设备的处理室中，含有氯原子团的气体对形成于半导体基片上并覆盖有抗蚀图形的薄膜进行蚀刻，之后，在处理室中产生由混合气体稀释而成的稀释气体的等离子体，所述混合气体由含有氧原子团的气体、含有氟子团的气体和含有氯原子团的气体构成，从而除去了剩余反应物。

主权项

1.一种清洗真空处理设备的方法，包括以下步骤：在真空处理设备的处理室中，用含有氯原子团的气体刻蚀覆有抗蚀图形的铝薄膜，抗蚀层中含有碳成分；并且在所述处理室中产生供给气体的等离子体，供给气体中含有下气体的混合气体：含有与碳反应成分的气体，含有与铝反应成分气体和含有起催化剂作用的成分的气体。