发明名称 | 薄膜电容式湿敏装置 | ||
摘要 | 本实用新型属传感装置领域,具体为一种薄膜电容式湿敏装置。其特点是芯片粘接在管座上,光刻下电极在上电极引出中,上电极引出为“”形,绝缘层上面是光刻下电极和上电极引出,下面是硅基片。感湿膜上面是光刻上电极,下面是光刻下电极和上电极引出,内引线与上电极引出和下电极连接。本实用新型结构简单、成本低廉,可大规模批量生产,基础电容量大,体积小,安装使用方便。 | ||
申请公布号 | CN2243659Y | 申请公布日期 | 1996.12.25 |
申请号 | CN95222307.4 | 申请日期 | 1995.09.14 |
申请人 | 电子工业部第四十九研究所 | 发明人 | 孙晴;张树琨;赵国强 |
分类号 | G01N27/22 | 主分类号 | G01N27/22 |
代理机构 | 哈尔滨专利事务所 | 代理人 | 张学敏 |
主权项 | 1、一种薄膜电容式湿敏装置,它是由硅基片(1)、绝缘层(2)、光刻下电极(3)、上电极引出(4)、感湿膜(5)、光刻上电极(6)、内引线(7)、管座(8)、管帽(9)、外引线(10)、芯片(11)组成,其特征是:芯片(11)粘接在管座(8)上,光刻下电极(3)在上电极引出(4)中,上电极引出(4)为<img file="Y9522230700021.GIF" wi="134" he="87" />形,绝缘层(2)上面是光刻下电极(3)和上电极引出(4),下面是硅基片(1),感湿膜(5)上面是光刻上电极(6),下面是光刻下电极(3)和上电极引出(4),芯片(11)是由硅基片(1)、绝缘层(2)、光刻下电极(3)、上电极引出(4)、感湿膜(5)、光刻上电极(6)组成,内引线(7)与上电极引出(4)和下电极(3)连接。 | ||
地址 | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街3号 |