| 发明名称 |
High voltage CMOS circuit with nand configurated logic gates and a reduced number of N-MOS transistors requiring drain extension |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0501929(B1) |
申请公布日期 |
1996.12.18 |
| 申请号 |
EP19920830071 |
申请日期 |
1992.02.20 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
DALLAVALLE, CARLO |
| 分类号 |
H01L27/088;H01L21/8234;H03K19/003;H03K19/096;(IPC1-7):H03K19/003 |
主分类号 |
H01L27/088 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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