发明名称 磁阻效应元件、磁头、以及磁读取装置
摘要 本发明提供一种力求降低自旋注入噪声(STIN)的磁阻效应元件、磁头、以及磁读取装置。该磁阻效应元件构成为包括:具有磁化自由层、磁化固定层、以及配置于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层的磁阻效应膜;配置于所述磁阻效应膜的所述磁化固定层上的磁耦合层;配置于所述磁耦合层上的铁磁性层;配置于所述铁磁性层上的反铁磁性层;对于所述磁化自由层加上其方向与所述磁阻效应膜的膜面大致平行且与所述磁化固定层的磁化方向大致垂直的偏置磁场的磁畴控制膜;以及使从所述磁化自由层至所述磁化固定层的方向的电流通过所述磁阻效应膜用的一对电极,不对称度为正,所述电流流动方向的元件电阻RA小于等于1.5Ωμm<SUP>2</SUP>。
申请公布号 CN101330125A 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN200810087954.5 申请日期 2008.03.25
申请人 株式会社东芝 发明人 高下雅弘;船山知己;高岸雅幸;岩崎仁志
分类号 H01L43/08(2006.01);G11B5/39(2006.01) 主分类号 H01L43/08(2006.01)
代理机构 上海市华诚律师事务所 代理人 徐申民;张惠萍
主权项 1.一种磁阻效应元件,其特征在于,包括:磁阻效应膜,包括:具有磁化方向随外部磁场相应变化的磁性膜的磁化自由层、具有磁化方向实际固定为一方的磁性膜的磁化固定层、以及配置于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层;磁耦合层,配置于所述磁化固定层的与所述中间层相对的面的相反面上;铁磁性层,配置于所述磁耦合层的与所述磁化固定层相对的面的相反面上;反铁磁性层,配置于所述铁磁性层的与所述磁耦合层相对的面的相反面上;磁畴控制膜,对于所述磁化自由层加上偏置磁场,该偏置磁场的方向与所述磁阻效应膜的膜面大致平行且与所述磁化固定层的磁化方向大致垂直;以及一对电极,用来使从所述磁化自由层至所述磁化固定层的方向的电流通过所述磁阻效应膜,不对称度为正,所述电流流动方向的元件电阻RA小于等于1.5Ωμm2。
地址 日本国东京都港区芝浦一丁目1番1号
您可能感兴趣的专利