有效吸气多层晶圆及其制造方法

摘要

本发明提出一种使用在介电性隔离晶圆结构，例如，是接合晶圆中的吸气结构，该吸气层是淀积在晶圆表面，其中的半导体区域是以若干沟槽（brench）彼此隔离开来，此吸气层被反向蚀刻，而沿着半导体区域的边墙则留有多矽层，这个多矽层可被掺入杂质，亦可进行氧化处理及淀积以填沟槽中的空乏区域。