制造氧化铟/氧化锡烧结体的方法和用其制造的制品

摘要

本发明涉及制造高密度氧化铟/氧化锡(ITO)烧结体的方法，及其ITO烧结体。当把薄而透明且有导电性的ITO膜沉积在透明基体上时，本法生产出的高均一性ITO烧结体适合在这种制造步骤中用作溅射靶。本方法包括的步骤有制备浆料，其固体成分是由99和50重量％之间的In₂O₃和1-50重量％之间的SnO₂以及约0.05-0.25％的烧结剂的细分混合物组成，该烧结剂选自铝、镁、钇、和硅中的一种氧化物；使所得到的浆料成型为密度在约4.0和4.8g/cm³之间的坯体，并在于坯体上方保持有氧气流从而足以避免在所述坯体四周产生还原性气氛、但不足以引起In₂O₃和SnO₃显著离解的同时，加热坯体至烧结温度约1500-1600℃之间。坯体可通过浇注所得到的浆料或通过往浆料中加入粉末状粘结剂，喷雾干燥，再冷压所得到的粉末来成型。

主权项

1.一种制造高均一性的高密度ITO烧结体的方法，包括：制备一种浆料，其固体成分是由In2O3、SnO2和除铟和锡的氧化物以外的介于约0.01-0.25％(按重量计)的氧化物的细分混合物组成，所述氧化物相对铟锡氧化物来说起烧结剂作用；粉浆浇注所述浆料成坯体，其密度在约4.2-4.8g/cm3之间，和将所述末烧结体在氧气气氛中加热至烧结温度。