| 发明名称 |
Furnace for manufacturing a semiconductor device, and a method of forming a gate oxide film by utilizing the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB9513226(D0) |
申请公布日期 |
1995.09.06 |
| 申请号 |
GB19950013226 |
申请日期 |
1995.06.29 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO. LTD. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/336;C30B33/00;H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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