| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光装置，它具有将电流供给层叠在砷化镓基板1上的半导体层并发光的活性层4，将电流供给活性层4的电极7a和7b，形成在将活性层4发射的光取至外部的取光面与活性层4之间并由ZnTe构成的电流扩散层6，该电流扩散层6对设于取光面侧的电极7a与活性层4间流动的电流进行扩散。上述结构通过抑制电流扩散层中的光吸收可实现高辉度化。 | ||
| 申请公布号 | CN1099521A | 申请公布日期 | 1995.03.01 |
| 申请号 | CN94108213.X | 申请日期 | 1994.07.22 |
| 申请人 | 东芝株式会社 | 发明人 | 佐伯亮 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
| 主权项 | 1、一种半导体发光装置，其特征在于，它具有：将电流供给层叠在半导体基板上的半导体层并发光的发光层；将电流供给发光层的电极；形成在将发光层发射的光取出至外部的取光面与发光层之间，对设于取光面侧的电极与发光层之间流动的电流进行扩散，并由ZnTe构成的电流扩散层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||