| 摘要 |
<p>Gegenstand der Erfindung ist ein Halbleiterbauelement zur Messung von Ionenkonzentrationen, insbesondere ein ISFET (i^_onens^_ensitiver F^_elde^_ffektt^_ransistor). Das Halbleiterbauelement besteht aus einem Substrat und einer vorderseitig darauf angeordneten Schichtfolge, wobei das Bauelement eine oder mehrere ionensensitive Schichten und gegebenenfalls weitere Schichtfolgen aufweist, die in einem rückseitig abgedünnten Gebiet des Substrats angeordnet sind. Die ionensensitive Schicht ist dabei als Gate eines Feldeffekttransistors ausgebildet. Die Source- und Drainbereiche des Feldeffekttransistors sowie die vorderseitig angeordnete Schichtfolge sind durch eine vergrabene Isolationsschicht von der Rückseite des Substrates elektrisch isoliert. Die Kontaktanschlüsse an die elektronischen Elemente können durch den Aufbau des Bauelements ausschließlich an dessen Vorderseite angebracht werden. Die geometrische Anordnung der ionensensitiven Membran sowie der Kontakte erlaubt eine einfache und sichere Verkapselung des Halbleiterbauelements, die definierte Chipgebiete vor einem Elektrolytangriff schützt. Das Halbleiterbauelement ist zur Verkapselung in einen Träger eingepaßt, der mit Leiterbahnen beschichtet ist, die mit den elektrischen Anschlüssen des Halbleiterbauelements elektrisch verbunden sind. Der Träger ist derart gestaltet, daß die Oberfläche des Halbleiterbauelements vorderseitig durch chemisch resistente Materialien vollständig abgedeckt ist.</p> |
