| 摘要 |
L'invention concerne les circuits intégrés, et plus précisément les circuits à fusibles. <BR/> Pour améliorer la fiabilité des circuits intégrés à fusible physique, l'invention propose d'associer au fusible (F) une cellule de mémoire non volatile programmable électriquement (TGF), la cellule étant programmée en même temps que le fusible est claqué. L'état du fusible est confirmé par l'état de la mémoire. En particulier, l'état claqué du fusible peut être confirmé par l'état programmé de la mémoire, dans les applications où ce qui importe c'est de s'assurer que le circuit peut continuer à conserver les fonctionnalités définies par l'état claqué du fusible. Si la structure claquée reprend ultérieurement plus ou moins les caractéristiques de la structure intacte, la cellule de mémoire suppléera le fusible défectueux. |
