| 摘要 |
<p>Es ist bekannt, durch Plasmaeinwirkung bei der Vakuumbeschichtung verbesserte Schichteingenschaften zu erreichen, besonders beim Zerstäuben. Beim Bedampfen sind wesentlich höhere Beschichtungsraten zu erzielen, die jedoch bei hohen Plasmadichten zu starker Streuung des Elektronenstrahls führen und die Leistungsdichte verringern. Erfindungsgemäß ist in unmittelbarer Nähe des Substrates eine Plasmaquelle, vorzugsweise Hohlkatoden-Bogenquelle angeordnet. Zwischen dem Verdampfer und dem Substrat ist eine magnetfelderzeugende Einrichtung angeordent, so daß der Bereich hoher Plasmadichte vom Verdampfer und dem Elektronenstrahl durch das Magnetfeld getrennt ist. Die Randfeldlinien dieses Magnetfeldes verlaufen entlang eines zum Substrat gewölbten Bogens.</p> |
