发明名称 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit mindestens einer p-n-p- bzw. n-p-n-Schicht
摘要
申请公布号 DE975756(C) 申请公布日期 1962.08.09
申请号 DE1953S034671 申请日期 1953.08.04
申请人 STANDARD ELEKTRIK LORENZ AKTIENGESELLSCHAFT, STUTTGART-ZUFFENHAUSEN 发明人 KLEINKNECHT DIPL.-PHYS. HANS;DR. PHIL. HABIL. KARL SEILER, NUERNBERG
分类号 C30B19/00;H01L21/24 主分类号 C30B19/00
代理机构 代理人
主权项
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