一种半导体器件及其制造方法

摘要

一种薄膜绝缘栅型场效应晶体管，具有一个表面经过阳极氧化的金属栅，一个氮化硅膜制作在栅电极与栅绝缘膜之间。为了阳极氧化，用金属材料覆盖栅电极的特定部分，然后仅将金属材料及其氧化物一起除去，形成一个金属栅的露出部分而与上面布线连接。另外，在栅电极和栅绝缘膜之间或在基片和基片上的层之间，形成氧化铝或氮化硅层作为刻蚀的阻挡层，以防止过刻蚀，并改进元件的平整度。另外，在无“接触孔”的概念下形成接触。

主权项

1、一种绝缘栅场效应晶体管，包含：在基片上形成的一半导体层；在所说半导体层上形成的一绝缘层；以及在所说绝缘层上形成的栅电极，由从铝、铬、钛、钽、硅、添加0.5～3%硅的铝，以及它的合金构成的组中选择的材料和它的多层组成。其中，所说的绝缘层是从由氧化铝单层、氧化硅单层、氮化硅单层、氧化铝层和氮化硅层形成的双层结构、氧化铝层和氧化硅层形成的双层结构、氮化硅层和氧化硅层形成的双层结构、磷硅玻璃层和氧化硅层形成的双层结构，以及氧化铝层、氧化硅层和氮化硅层形成的三层结构构成的组中选择的结构组成。