ELECTRONIC SWITCH, IN PARTICULAR IN THE FORM OF A TRANSISTOR.

摘要

Il est proposé un commutateur électronique, en particulier un transistor, comportant au moins une couche de jonction située entre des zones de dopage différent à l'intérieur d'un semiconducteur, caractérisé en ce que la couche de jonction présente au moins une zone de limitation de tension (Z) ayant un rayon de courbure (R) lequel est moins grand ou au maximum aussi grand que la pronfondeur de diffusion (XJB) de la couche de diffusion.