电子束蚀刻术及其系统

摘要

本发明揭示一种以电子束使涂布在晶片１上面的光阻曝光的方法，本方法首先侦测用于光学蚀刻的校正标记来对准晶片１，其次以侦测晶片１上的用于EBL的对准标记4来对准晶片1。然后以电子束使光阻曝光，和多重的光学蚀刻和EBL配合以形成所需的图案和结构。本发明亦揭示在一个EBL系统中，使用能以电子束12扫描晶片的电子束系统11、12、14，在电子束下使晶片16定位的自动机械台架17，和以光学校正标记以初次地对准整体晶片的机构13、15。化简了原有的蚀刻制程，而且可以没有困难地同时使用EBL和光学蚀刻制程。

主权项

1﹒一种电子束蚀刻术,系在同时使用光学蚀刻和 EBL做出图案和结构的多 重步骤中,以电子束使晶片1上的光阻曝光,此方法 包含下列步骤:首先 以侦测光学蚀刻所用的校正标记来对准整个晶片 。其次,藉由侦测晶片上 的EBL用的校正标记4来对准晶片1。接着就以电子 束使光阻曝光。 2﹒如申请专利范围第1项之方法,在其中的第一次 对准后,晶片的重叠误差 不超过5微米。 3﹒如申请专利范围第1项之方法,其中晶片第二次 对准后,重叠的误差不超 过0﹒1微米。 4﹒一种电子束蚀刻术系统,其包含有能够以电子 束12扫描晶片的电子束系 统11.12.14;一能在电子束12下移位,放置晶片16的自 动机 械台架17;和以光学校正标记对准整个晶片的侦测 机构13.15者。 5﹒如申请专利范围第4项之电子束蚀刻系统,其中 所述侦测机构13.15 是由一组光学镜片15和一个感测器13夹侦测光学校 正标记。 6﹒如申请专利范围第54项之电子束蚀刻系统,其中 所述的侦测机构13. 15是放在所谓的电子束系统11.l2.14的旁边或里边者 。