一种硅膜电容压力传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种平面嵌入式硅膜电容压力传感器及其制造方法。本发明的传感器的硅膜下面的空腔是从硅片的正面掏空硅体而形成的密封腔体，电容器的电极分别做在腔体内硅膜的下表面和腔体的底面上，电容器的上下电极和硅膜由绝缘介质所隔离和支撑。它是采用扩散或离子注入、外延，阳极氧化、腐蚀多孔硅、物理或化学气相淀积等技术制备的。其制备工艺与平面工艺兼容，易于集成与大批量生产，且成本低，器件性能好。

主权项

1、一种硅膜电容压力传感器的制造方法，包括在硅片里形成硅膜、制作电容器电极、构成密封腔体，其特征在于制作硅膜、电容器的电极、密封腔体，都是由硅片正面加工而成的，主要制造工艺按下述步骤进行：a.在硅衬底的硅膜设计区，采用扩散或离子注入方法形成高浓度的n+埋层；b.外延生长制作硅膜的n型外延层；c.在紧靠n+埋层边缘处，通过扩散或离子注入方法形成高浓度的n+阳极氧化通道槽I；d.采用阳极氧化技术，使n+埋层和n+槽I的高浓度区的硅转变成多孔硅；e.用腐蚀液腐蚀多孔硅形成空腔腔体，腔体上面的硅变成了硅膜；f.用化学气相淀积方法在腔体内制备电容器的上、下电极；g.用物理或化学气相淀积方法淀积绝缘介质填平腔体开口；h.在紧靠n+埋层的其余边缘处扩散或离子注入形成高浓度n+槽II；i.采用阳极氧化技术，使上面n+槽II的高浓度区的硅转变成、多孔硅；J.用腐蚀液腐蚀多孔硅形成n+空槽；k.用物理或化学气相淀积方法淀积绝缘介质填平这一n+空槽。